経済安全保障体制の強化のため、バイデン政権は中国向けの半導体輸出規制を一段と強化している。2022年10月に米商務省産業安全保障局は、16または14ナノメートル以下のロジック半導体などの製造装置の対中輸出を事実上禁止した。
EUVを用いた露光装置に関しては、今のところ、オランダのASMLの独壇場である。
感光剤であるレジストの塗布と現像を行う装置（コータ・デベロッパ）は、東京エレクトロンのシェアが高い。
ガスを用いてウエハー表面から不要な部分を除去する「ドライ・エッチング」の装置は、米ラムリサーチなどのシェアが高い。
波長 380–200 nm の近紫外線 (near UV)、
波長 200–10 nm の遠紫外線もしくは真空紫外線（far UV (FUV) もしくは vacuum UV (VUV)）、
波長 121–10 nmの極紫外線もしくは極端紫外線(extreme UV,EUV or XUV)
近紫外線をさらに UVA (380–315 nm)、UVB(315–280nm)、UVC (280–200nm)
IBMのリン博士が用いた深紫外線（Deep-UV、DUV、リン博士の概念では200～300nmの波長域）
「フォトマスクの保護膜（ペリクル）製造装置」「ペリクル」「露光装置」「コーター（フォトマスク塗布装置）」「成膜装置」「エッチング装置」「アニール（熱処理）装置」「洗浄装置」「フォトマスク検査装置」であることが分かった（図2）。半導体の製造では、シリコン（Si）のウエハーに保護膜を施して、目的とする部分のみを削った上で、別の物質で埋めたり、不純物を注入したりといった作業を繰り返す。
